[发明专利]低阻型BaMIIxBi1-xO3负温度系数热敏厚膜材料及其制备方法

摘要

本发明公开了低阻型BaM^II_xBi_1-xO₃负温度系数热敏厚膜材料及其制备方法，主要成分为BaM^II_xBi_1-xO₃热敏相粉体，其中0.01≤x≤0.05，符号M^II为Co、Mn、Ni、Cu、Zn的正二价氧化物中的一种。将BaM^II_xBi_1-xO₃热敏相粉体与有机载体按质量比74：26混合均匀，形成厚膜电阻浆料。将电阻浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上，经过放平，烘烤，预烧并重复印刷得到所需厚度的厚膜素坯。将素坯在700~900℃烧结下，保温120分钟即可得到低阻型BaM^II_xBi_1-xO₃负温度系数热敏厚膜材料。本发明制备工艺简单，成膜温度低，膜厚度在20～80μm内，热敏常数值介于1000~4000K之间，室温电阻率处于0.7Ω·cm~20kΩ·cm范围内，150℃下保温650小时的老化率低于2%。

主权项

一种低阻型负温度系数热敏厚膜材料，其特征是：其组成通式为：BaM^II_xBi_1‑xO₃，其中0.01≤x≤0.05；符号M^II为Co、Mn、Ni、Cu、Zn的正二价氧化物中的一种。