[发明专利]非对称Au粒子阵列和FP腔耦合的折射率传感器在审
| 申请号： | 201410056974.1 | 申请日： | 2014-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN103808691A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 宋国峰;张祖银;胡海峰;王丽娜;马勋鹏;李康文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N21/41 | 分类号： | G01N21/41 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非对称Au粒子阵列和FP腔耦合的折射率传感器。该折射率传感器包括：绝缘衬底，其至少单面抛光；金属薄膜反射层，沉积于衬底的抛光面上；透明介质层，沉积金属薄膜反射层上；以及二维金属单元阵列，形成于透明介质层上，该二维金属单元阵列中的每一金属单元为非对称单元，其是由两个沿衬底表面排列的金属纳米柱构成，每一金属单元的两金属纳米柱与位于其正下方的金属薄膜反射层之间构成一F-P腔回路。本发明折射率传感器结合了非对称粒子Fano共振效应以及把LSP模式和FP腔模进行耦合，可以降低传感器共振谷的半高宽，从而提升了局域表面等离子体传感器性能。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 au 粒子 阵列 fp 耦合 折射率 传感器 | ||
【主权项】：
一种非对称Au粒子阵列和FP腔耦合的折射率传感器，其特征在于，包括：绝缘衬底，其至少单面抛光；金属薄膜反射层，沉积于所述衬底的抛光面上；透明介质层，沉积所述金属薄膜反射层上；以及二维金属单元阵列，形成于所述透明介质层上，该二维金属单元阵列中的每一金属单元为非对称单元，其是由两个沿衬底表面排列的金属纳米柱构成，每一金属单元的两金属纳米柱与位于其正下方的金属薄膜反射层之间构成一F‑P腔回路；其中，该F‑P腔回路包括：光在该金属单元下方金属薄膜反射层的上表面沿水平方向传播的部分、光在透明介质层中沿竖直方向来回传播共两部分、光在该金属单元两金属立方柱下方的透明介质层的上表面沿水平方向传播的部分，和光在该金属单元两金属立方柱之间下方的透明介质层的上表面沿水平方向传播的部分。
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