[发明专利]全桥式变换器的快速启动方法

摘要

本发明涉及一种快速启动且能有效防止双倍磁通产生的全桥式变换器的快速启动方法。通过DSP芯片产生PWM基准波，DSP芯片给IGBT开关管Ⅳ高电平信号并持续1/2周期，之后DSP芯片给IGBT开关管Ⅰ高电平信号并持续1/4周期，IGBT开关管Ⅰ经1/4周期后关断，IGBT开关管Ⅳ经1/2周期后的下一个1/2周期内保持关断，IGBT开关管Ⅱ与IGBT开关管Ⅰ以及IGBT开关管Ⅲ与IGBT开关管Ⅳ保持互补导通关系。因此变压器铁芯磁通密度的工作即进入正、负半波交替变化的正常运行状态，磁通密度由Bm变至0再变至-Bm，完成一个磁通密度的幅值变化。因此有效避免了传统全桥式变换器启动时，变压器铁芯在初始的半个周期内饱和产生双倍磁通现象。有效避免了变压器绕组和开关器件烧坏，且加快了启动速度。

主权项

一种全桥式变换器的快速启动方法，其特征在于：包括如下步骤：a)全桥式变换器逆变电路中H桥的左上臂为IGBT开关管Ⅰ（S1），左下臂为IGBT开关管Ⅱ（S2）、右上臂为IGBT开关管Ⅲ（S3），右下臂为IGBT开关管Ⅳ（S4），IGBT开关管Ⅰ（S1）、IGBT开关管Ⅱ（S2）、IGBT开关管Ⅲ（S3）以及IGBT开关管Ⅳ（S4）初始状态为关断状态；b) DSP芯片产生PWM基准波（1），DSP芯片给IGBT开关管Ⅳ（S4）高电平信号并持续1/2周期，IGBT开关管Ⅳ（S4）首先导通；c)DSP芯片给IGBT开关管Ⅰ（S1）高电平信号并持续1/4周期，IGBT开关管Ⅰ（S1）导通，IGBT开关管Ⅰ（S1）与IGBT开关管Ⅳ（S4）起始高电平信号存在相位差（θ）；d) IGBT开关管Ⅰ（S1）经1/4周期后DSP芯片发出低电平信号控制其关断；e) IGBT开关管Ⅳ（S4）经1/2周期后的DSP芯片发出低电平信号控制其关断；f)在第一个周期内IGBT开关管Ⅱ（S2）与IGBT开关管Ⅰ（S1）以及IGBT开关管Ⅲ（S3）与IGBT开关管Ⅳ（S4）保持互补导通关系，DSP芯片给IGBT开关管Ⅱ（S2）的信号与IGBT开关管Ⅰ（S1）之间相差一个死区时间（T），DSP芯片给IGBT开关管Ⅲ（S3）的信号与IGBT开关管Ⅳ（S4）之间相差一个死区时间（T）；g)从第二个周期开始，IGBT开关管Ⅰ（S1）和IGBT开关管Ⅳ（S4）处于全脉宽展开状态，IGBT开关管Ⅱ（S2）与IGBT开关管Ⅰ（S1）以及IGBT开关管Ⅲ（S3）与IGBT开关管Ⅳ（S4）保持互补导通关系。