[发明专利]阵列式磁浮重力补偿器有效

专利信息
申请号: 201410051753.5 申请日: 2014-02-14
公开(公告)号: CN104847825B 公开(公告)日: 2018-03-13
发明(设计)人: 季汉川;陈庆生;段素丙;刘小虎 申请(专利权)人: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
主分类号: F16F6/00 分类号: F16F6/00;G03F7/20
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 屈蘅,李时云
地址: 201203 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种阵列式高输出磁浮重力补偿器,包括两个定子结构和一个动子结构,两个所述定子结构分别从所述动子结构的上、下两侧对所述动子结构施加磁吸力和磁斥力,实现所述动子结构的重力补偿,且使得所述定子结构对所述动子结构所施加的水平向分力均抵消。本发明提出了一种新结构,首先利用两个定子从上、下两侧对动子施加磁力,进而利用该磁力形成悬浮力,起到了补偿重力的作用;其次,通过合理设置磁钢阵列,消除或减小一般磁浮重力补偿器固有的水平向寄生拉力和水平向刚度;再次,使得动子结构垂向受力恒定,垂向力输出增加,从而减少垂向刚度;最后,本发明中的阵列式磁浮重力补偿器磁钢均为长方体,大大改善了安装难度和精度情况。
搜索关键词: 阵列 式磁浮 重力 补偿
【主权项】:
一种阵列式磁浮重力补偿器,其特征在于:包括两个定子结构和一个动子结构,两个所述定子结构分别从所述动子结构的上、下两侧对所述动子结构施加磁吸力和磁斥力,实现所述动子结构的重力补偿,且使得所述定子结构对所述动子结构所施加的水平向分力均抵消;所述动子结构包括动子磁阵列,两个所述定子结构分别为高位定子结构和低位定子结构,所述高位定子结构包括高位磁阵列,所述低位定子结构包括低位磁阵列,所述高位磁阵列从所述动子磁阵列的上侧对所述动子磁阵列施加磁吸力,所述低位磁阵列从所述动子磁阵列的下侧对所述动子磁阵列施加磁斥力,从而实现所述动子结构的重力补偿;所述动子磁阵列、高位磁阵列与低位磁阵列分别由多个中心对称分布的磁钢形成;所述低位磁阵列、高位磁阵列和动子磁阵列中的磁钢数量为2N,且N大于等于2,在所述低位磁阵列、高位磁阵列和动子磁阵列中,相邻的两个磁钢的磁极方向相反。
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