[发明专利]电子设备和降低差分变化的电子实现方法有效

专利信息
申请号: 201410050586.2 申请日: 2014-02-14
公开(公告)号: CN103997345B 公开(公告)日: 2017-09-12
发明(设计)人: S·G·布莱德斯利;P·迪罗尼恩;F·M·莫敦 申请(专利权)人: 美国亚德诺半导体公司
主分类号: H03M3/00 分类号: H03M3/00;H03F3/45;H03M1/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 金晓
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一个实施例涉及一种设备,其被配置成抵消在一对差分节点的节点上注入的电荷。虚设电路元件可在反向节点上注入电荷以便抵消非反向节点上由开关在开关断开时注入的电荷。此外,另一虚设电路元件可在非反向节点上注入电荷以便抵消反向节点上由另一开关在其它开关断开时注入的电荷。这些虚设电路元件可交叉耦接。
搜索关键词: 电荷 下降
【主权项】:
一种电子设备,包括:第一开关,配置成接收第一差分输入并在导通时向第一节点提供第一差分输入;第二开关,配置成接收第二差分输入并在导通时向第二节点提供第二差分输入,其中第一节点和第二节点是一对差分节点;第一虚设电路元件,配置成在第二节点上注入电荷,以抵消第一节点上由第一开关在第一开关断开时注入的电荷;以及第二虚设电路元件,配置成在第一节点上注入电荷,以抵消第二节点上由第二开关在第二开关断开时注入的电荷,其中第一开关包括第一场效应晶体管,其中第二开关包括第二场效应晶体管,其中第一虚设电路元件包括第一虚设场效应晶体管,其中第二虚设电路元件包括第二虚设场效应晶体管,并且其中第一虚设场效应晶体管和第二虚设场晶体管中的每一个都具有偏置至电源轨电压的栅极。
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