[发明专利]一种高纯铜中碳硫元素分析方法有效

专利信息
申请号: 201410037569.5 申请日: 2014-01-26
公开(公告)号: CN103728199A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 黄桂华;任发强 申请(专利权)人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
主分类号: G01N5/00 分类号: G01N5/00
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 贾慧琴
地址: 201616 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种高纯铜中碳硫元素分析方法,该方法包含:步骤1,对高纯铜样品进行前处理;步骤2,上机测试:记录所称取的高纯铜样品质量m和所用助溶剂的质量m1,包含样品与助溶剂的总质量为m0,m0=m1+m,使用碳硫分析仪分别测定包含样品与助溶剂的总碳含量C0、总硫含量C0及助溶剂的碳含量C1、硫含量C1;步骤3,样品中的碳含量C按公式(1)计算:其中,样品中的硫含量C按公式(2)计算:从而完成碳硫元素分析。本发明提供的分析方法所用的仪器常规普通,检测成本低,周期短,能够准确检测出低含量(如小于1μg/g)的高纯铜中的碳硫含量,能够很好地控制高纯铜的质量,可以满足日益发展的半导体产业需求。
搜索关键词: 一种 高纯 铜中碳硫 元素 分析 方法
【主权项】:
1.一种高纯铜中碳硫元素分析方法,其特征在于,该方法包含:    步骤1,对高纯铜样品进行前处理;步骤2,上机测试:记录所称取的高纯铜样品质量m和所用助溶剂的质量m1,包含样品与助溶剂的总质量为m0,m0= m1+m,使用碳硫分析仪分别测定包含样品与助溶剂的总碳含量C碳0、总硫含量C硫0及助溶剂的碳含量C碳1、硫含量C硫1;步骤3,样品中的碳含量C按公式(1)计算:其中,样品中的硫含量C按公式(2)计算:从而完成碳硫元素分析。
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