[发明专利]一种硅神经电极混合集成器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410028793.8 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103750833A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 张旭;韩建强;刘鸣;裴为华;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | A61B5/04 | 分类号： | A61B5/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅神经电极混合集成器件的制造方法，包括：制作用于神经信号采集的前置放大器芯片和硅神经电极；在前置放大器芯片表面制作掩膜，在前置放大器芯片输入压焊盘中制作金属层；在前置放大器芯片表面和压焊盘中制作绝缘层；对前置放大器芯片和硅神经电极的表面进行抛光；采用硅片键合技术将前置放大器芯片与硅神经电极集成，在前置放大器与硅神经电极间形成耦合电容。本发明有效隔离了电极记录点与神经细胞接触时形成的电极-电解液极化电位与细胞组织的共模扰动，消除了对前置放大器直流工作点的影响，简化了前置放大器的设计与神经信号记录系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 神经 电极 混合 集成 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅神经电极混合集成器件的制造方法，其特征在于，包括：制作用于神经信号采集的前置放大器芯片和硅神经电极；在前置放大器芯片表面制作掩膜，在前置放大器芯片输入压焊盘中制作金属层；在前置放大器芯片表面和压焊盘中制作绝缘层；对前置放大器芯片和硅神经电极的表面进行抛光；以及采用硅片键合技术将前置放大器芯片与硅神经电极集成，在前置放大器与硅神经电极间形成耦合电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410028793.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于治疗家禽气囊炎的中药组合物及其制备方法
- 下一篇：自动清运垃圾车
