[发明专利]用于等离子体电解氧化的非对称脉冲拓扑及表面处理方法有效
| 申请号： | 201410027303.2 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103762882B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陈桂涛;杨欣然;孙强;黄西平;孙向东 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H02M9/02 | 分类号： | H02M9/02;C25D11/02 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所61214 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开的用于等离子体电解氧化的非对称脉冲拓扑及表面处理方法，通过使用本发明中的不对称脉冲，在输出电压为正时，进行等离子体电解氧化的工艺过程，陶瓷层处于生长阶段；在输出电压为负时，陶瓷层生长间断，电源对工件表面进行清洗，熄灭在加工时产生的电弧，使工件表面陶瓷层粗糙程度降低，表面致密、光滑。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 电解 氧化 对称 脉冲 拓扑 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
用于等离子体电解氧化的非对称脉冲拓扑，其特征在于，包括直流源(1)、由电感L1和电感L2组成的耦合电感(2)、全控功率开关器件(3)、隔离驱动器(4)、控制器(5)和等离子体电解氧化工作槽(6)，直流源(1)的正极连接电感L1的同名端，电感L1的异名端与电感L2的同名端连接，电感L2的异名端与等离子体电解氧化工作槽(6)一端连接；等离子体电解氧化工作槽(6)的另一端与全控功率开关器件(3)的发射极连接，全控功率开关器件(3)的发射极同时与直流源(1)的负极连接，全控功率开关器件(3)的集电极同时与电感L1的异名端、电感L2的同名端连接；全控功率开关器件(3)上还连接有隔离驱动器(4)，隔离驱动器(4)的输入端连接在控制器(5)的一个输出端上；所述的控制器(5)选用模拟电路、单片机、DSP、FPGA中的一种或几种的组合；所述的全控功率开关器件(3)选用绝缘栅双极晶体管或功率MOS管；所述的隔离驱动器(4)型号选用2SD315AI或EXB841。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学，未经西安理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410027303.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
