[发明专利]一种用于高压DC-DC电路中的使能启动电路有效
申请号: | 201410014358.X | 申请日: | 2014-01-13 |
公开(公告)号: | CN103762838B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 秦松 | 申请(专利权)人: | 帝奥微电子有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36 |
代理公司: | 上海宏威知识产权代理有限公司31250 | 代理人: | 金利琴 |
地址: | 201103 上海市闵行区合川*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开一种用于高压DC‑DC电路中的使能启动电路,本发明利用第一NMOS管的阈值电压作为第一阈值,当使能比较器的EN脚的电压低于第一NMOS管的阈值电压时,关闭整个系统,这样系统的关断电流就为零,当EN脚的电压高于的阈值第一NMOS管电压时,启动一个环路,该环路可以提供一个启动电源供给带隙基准电路,带隙基准电路启动之后就可以提供一个精准的参考电压给使能比较器,这样使能比较器就可以监测EN脚的电压,当EN脚的电压大于该使能阈值电压时,就启动后续的整个DC‑DC系统,实现精准使能阈值的功能;同时上述环路可以控制施加到第一NMOS管栅极的电压,因而可以控制其偏置电流,进而控制使能启动电路的工作电流,使之恒定,且不随输入电压EN脚电压的变化而变化。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 高压 dc 电路 中的 启动 | ||
【主权项】:
一种用于高压DC‑DC电路中的使能启动电路,其特征在于:一比较器的正向输入端通过第一电阻R1施加到第一NMOS管的栅极,该NMOS管的漏极依次通过源极相连接的第一PMOS管和第二PMOS管后连接到带隙基准电路的输入端,该带隙基准电路输出一参考电压到所述比较器的反向输入端;所述第一电阻连接第二NMOS管的漏极,该第二NMOS管的源极通过第二电阻连接到带隙基准电路的第三端,该第一NMOS管的源极通过第三电阻连接所述带隙基准电路的第三端,所述第二PMOS管的漏极依次连接第三PMOS管的源极、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管后,该第五NMOS管的源极连接所述该带隙基准电路的第三端,其中第三PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极相连接,该第三NMOS管的源极与该第四NMOS管的漏极相连接,该第四NMOS管的源极与该第五NMOS管的漏极相连接;所述第二PMOS管的漏极连接第四PMOS管的源极,该第四PMOS管的漏极连接到所述第二NMOS管的栅极,且该第四PMOS管的漏极通过一恒流源连接到所述带隙基准电路的第三端,该第四PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极相连接;以上所述第一PMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管的栅极和漏极相连接。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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