[发明专利]一种磷酸银及M-O(M=Cu+,Fe3+,Zn2+)窄禁带半导体纳米粒子的制备方法

摘要

本发明涉及一种磷酸银及M-O(M=Cu⁺，Fe³⁺，Zn²⁺)窄禁带半导体纳米粒子的制备方法，采用简单的双电极电解法，分别以银、铜、铁或锌片为阴极和阳极，通过调控电解电压、电解液组成等反应参数，制备了Ag₃PO₄、Cu₂O、Fe₂O₃和ZnO等窄禁带半导体纳米材料，将生成物用水进行多次洗涤，离心分离，而得。整个制备过程操作方便，工艺简单，可用于窄禁带半导体纳米粒子的可控合成。将制备得到的窄禁带半导体纳米材料用做光催化剂，在可见光的照射下即可降解有机污染物，可以极大的提高有机污染物的降解效率，节约有机污染物处理成本，因而在光催化应用领域具有很大的应用前景。

主权项

一种磷酸银及M‑O(M=Cu⁺，Fe³⁺，Zn²⁺)窄禁带半导体纳米粒子的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、以银、铜、铁或锌片为阴极和阳极，Na₂HPO₄‑NaH₂PO₄缓冲溶液或稀氢氧化钠溶液为电解液，0.01M氯化钾为支持电解质，电极间距为1cm，电解电压为2～12v，进行电解反应，由电解时间来控制参与反应的金属总量，电解产生的金属阳离子与电解液中PO₄^3‑或OH^‑阴离子结合，生成磷酸银及M‑O(M=Cu²⁺，Fe³⁺，Zn²⁺)金属氧化物半导体纳米粒子；由电解直接生成的铜半导体氧化物为CuO，进一步需要在适宜的条件下用葡萄糖还原，从而得最终产物Cu₂O；其余金属半导体氧化物(Fe₂O₃和ZnO)可直接由电解制备。S2、反应结束后将生成物用水进行多次洗涤，离心分离，得到的产物即为磷酸银及M‑O(M=Cu⁺，Fe³⁺，Zn²⁺)系列窄禁带半导体纳米粒子。