[发明专利]单晶硅提拉用氧化硅玻璃坩埚及其制造方法有效
| 申请号： | 201380077075.3 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN105264124B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 须藤俊明;北原贤;相场秋广;奥州谷和司;吉田文枝;旭冈真喜子;北原江梨子;佐藤忠广 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人： | 谢志为 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氧化硅玻璃坩埚及其制造方法，即便在长时间的高温条件下使用，也能抑制变形。氧化硅玻璃坩埚具备上端开口并且沿铅垂方向延伸的基本上圆柱形的直筒部、弯曲的底部、及连结所述直筒部和所述底部且曲率比所述底部大的角部，所述氧化硅玻璃坩埚在内侧具备透明层并且在其外侧具备气泡层，在所述透明层的内表面侧具备残留压缩应力的压缩应力层、和以平缓的应力变化率与所述压缩应力层邻接的残留拉伸应力的拉伸应力层。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 提拉用 氧化 玻璃 坩埚 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅提拉(pulling of silicon single crystal)用氧化硅玻璃坩埚(vitreous silica crucible)，具备上端开口并且沿铅垂方向(vertical direction)延伸的基本上圆柱形的直筒部(straight body portion)、弯曲的底部(bottom portion)、及连结所述直筒部和所述底部且曲率比所述底部大的角部(corner portion)，其特征在于：所述氧化硅玻璃坩埚在内侧具备透明层(transparent layer)并且在其外侧具备气泡层(bubble layer)，在所述透明层的内表面侧具备残留压缩应力的压缩应力层(compressive stress layer)、和以0.17MPa/mm以上、1.5MPa/mm以下的应力变化率(rate of change of stress)与所述压缩应力层邻接的残留拉伸应力的拉伸应力层(tensile stress layer)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司，未经胜高股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380077075.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
