[发明专利]非晶金属薄膜非线性电阻器有效
| 申请号： | 201380070262.9 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105264618B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 威廉·E·科威尔三世 | 申请（专利权）人： | 俄勒冈州立大学 |
| 主分类号： | H01C1/012 | 分类号： | H01C1/012;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京鸿德海业知识产权代理事务所(普通合伙) 11412 | 代理人： | 袁媛 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种非晶金属薄膜非线性晶体管(AMNR)。AMNR是拥有对称非线性电流‑电压(I‑V)特征曲线的电子器件，该电子器件的示例配置可以包括三个依次沉积的层，这些层包括下非晶金属薄膜(AMTF)互连、位于AMTF互连上面的薄膜绝缘体以及位于绝缘体上面并且设置于相同物理平面中的两个上传导接触。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶金属薄膜 电子器件 互连 绝缘体 非线性电阻器 薄膜绝缘体 非线性电流 特征曲线 物理平面 晶体管 沉积 传导 对称 配置 | ||
【主权项】：
一种非晶金属薄膜非线性电阻器，拥有对称非线性电流‑电压特征曲线，包括：非晶金属薄膜互连；设置于所述互连之上的绝缘体层；以及设置于所述绝缘体层和互连的选择的表面之上的第一和第二电接触，每个连接器至少让其相应部分与所述互连的相应部分重叠以提供从所述第一电接触经过所述绝缘体层和非晶金属互连到所述第二电接触的电连通，其中在所述第一和第二电接触两端施加的电压产生随着施加的电压非线性地并且与所述施加的电压的极性对称地变化的电流。
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