[发明专利]包含玻璃或陶瓷基底的薄膜电池在审
| 申请号： | 201380062314.8 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN104823321A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 斯图尔特·K·莎士比亚;斯坦利·J·斯塔尼斯洛斯基;马修·E·弗拉特兰德;斯蒂芬·W·唐尼;摩根·J·托马 | 申请（专利权）人： | CYMBET公司 |
| 主分类号： | H01M10/0585 | 分类号： | H01M10/0585;H01M2/10 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种薄膜电池，包括玻璃或陶瓷基底，该基底的热膨胀系数(CTE)为约7ppm/°K至约10ppm/°K；连续的金属或金属氧化物阴极集流体，其厚度小于约3μm，该阴极集流体位于该玻璃或陶瓷基底之上；阴极材料层在阴极集流体之上，该阴极材料层包含锂过渡金属氧化物，该锂过渡金属氧化物是厚度为约10μm至约80μm的连续膜；位于该阴极材料层之上的LiPON电解质层，其厚度为约0.5μm至约4μm；以及具有任意阳极材料的阳极集流体。对该电池的制造和使用方法进行了描述。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 玻璃 陶瓷 基底 薄膜 电池 | ||
【主权项】：
一种薄膜电池，包括：a)玻璃或陶瓷基底，其CTE为约7ppm/°K至约10ppm/°K；b)连续金属或金属氧化物阴极集流体，其厚度小于约3μm，所述阴极集流体位于所述玻璃或陶瓷基底之上；c)包含锂过渡金属氧化物的阴极材料层，所述锂过渡金属氧化物是厚度为约10μm至约80μm的连续膜，所述阴极材料层位于所述阴极集流体之上；d)厚度为约0.5μm至约4μm的LiPON电解质层，其覆盖于所述阴极材料层之上；以及e)阳极集流体。
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