[发明专利]纳米结构电解能量储存设备有效
| 申请号： | 201380062055.9 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104813421B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈朝晖;D.S.贾纳;B.K.孟;C.W.霍尔斯瓦思;C.L.平特;S.B.克伦登宁 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;胡莉莉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施例中，能量储存设备的结构可以包括具有导电层和在导电层上形成的电介质层的第一纳米结构衬底。第二纳米结构衬底包括另一个导电层。隔离物将第一和第二纳米结构衬底隔离并且允许电解质的离子穿过隔离物。结构可以是纳米结构电解电容器，其中第一纳米结构衬底形成正电极并且第二纳米结构衬底形成电容器的负电极。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 电解 能量 储存 设备 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：第一纳米结构衬底，其具有沟道阵列以及所述沟道阵列上的第一导电层，以提供第一电极，所述沟道阵列具有到所述第一纳米结构衬底的多孔表面的开口；布置在第一导电层上的电介质层；具有第二导电层的第二纳米结构衬底以提供第二电极；在电介质层和第二导电层之间的电解质；以及隔离物，将第一和第二纳米结构衬底隔离并且将电解质的离子通过所述隔离物传递到位于隔离物和第一导电层之间的电介质层，其中所述电介质层被配置用于引入与使用所述电解质和所述第一电极形成的第一电容器以及使用所述电解质和所述第二电极形成的第二电容器串联的另一个电容器并且用于增加所述结构的电压和能量储存容量。
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