[发明专利]用于制造半导体装置的方法

摘要

一种用于制造半导体装置的方法包括在互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺期间在衬底(100)上形成至少一个牺牲层(106，108，110)。在所述至少一个牺牲层的顶部上沉积吸收体层(130)。去除所述至少一个牺牲层(106，108，110)的在所述吸收体层下方的一部分以形成间隙(G1)，所述吸收体层的一部分悬挂在所述间隙上方。所述牺牲层能够是CMOS工艺的氧化物，所述氧化物被利用选择性氢氟酸气相干式蚀刻释放工艺去除以形成间隙。所述牺牲层也能够是聚合物层，其中，所述聚合物层被利用氧气等离子体蚀刻工艺去除以形成间隙。

主权项

1.一种用于制造半导体装置的方法，其包括：在互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺期间，在衬底的反射体区域上以交替的图案沉积多个反射体金属化层和多个氧化物层，使得每个反射体金属化层在反射体区域上方的不同的水平处在反射体区域之上延伸，反射体金属化层被图案化以形成接触结构，在不同水平处的接触结构相对于彼此竖直地对齐；形成延伸通过所述氧化物层并且电连接所述接触结构以形成柱结构的通孔；在所述多个反射体金属化层、所述多个氧化物层和柱结构的顶部上沉积吸收体层，使得吸收体层与柱结构电连接；以及在沉积所述吸收体层之后，将氧化物层的在所述吸收体层之下以及围绕柱结构的部分向下去除到所述多个反射体金属化层中的最顶部的反射体金属化层，以形成间隙，所述吸收体层的一部分通过柱结构悬挂在所述间隙之上，最顶部的反射体金属化层在所述间隙中暴露，其中，沉积所述多个反射体金属化层和所述多个氧化物层还包括：在所述衬底上沉积所述多个氧化物层中的第一氧化物层；在所述第一氧化物层的顶部上沉积所述多个反射体金属化层中的第一反射体金属化层；在第一反射体金属化层的顶部上形成所述多个氧化物层中的第二氧化物层；在所述第二氧化物层中形成向下延伸到所述第一反射体金属化层的第二通孔；在所述第二氧化物层和所述第二通孔的顶部上沉积所述多个反射体金属化层中的第二反射体金属化层；通过去除所述第二反射体金属化层的围绕所述第二通孔的部分来使所述第二反射体金属化层图案化；在所述第二反射体金属化层的顶部上形成所述多个氧化物层中的第三氧化物层；在所述第三氧化物层的顶部上沉积所述吸收体层；将所述第三氧化物层的在所述吸收体层之下的一部分向下去除到所述第二反射体金属化层并且将所述第二氧化物层的在所述第二通孔之间的部分向下去除到所述第一反射体金属化层以形成间隙，其中，所述吸收体层的一部分悬挂在所述间隙上方并且所述第一和第二反射体金属化层在所述吸收体层下方暴露以形成经图案化的反射体结构，其中，所述柱结构包括所述通孔和所述第二通孔，其中，第三氧化物层的所述部分和第二氧化物层的所述部分的去除被执行而使得第一氧化物层在柱结构之间的间隙中不被暴露。