[发明专利]电荷收集器和相关联的方法有效

专利信息
申请号: 201380054031.9 申请日: 2013-08-07
公开(公告)号: CN104737331B 公开(公告)日: 2017-07-04
发明(设计)人: 魏迪;Y·刘;P·安德鲁;M·罗瓦拉;C·鲍尔;T·吕海宁 申请(专利权)人: 诺基亚技术有限公司
主分类号: H01M4/04 分类号: H01M4/04;H01M4/137;H01M4/80;H01M4/02
代理公司: 北京市中咨律师事务所11247 代理人: 杨晓光,于静
地址: 芬兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种装置,所述装置包括导电材料层,所述导电材料层具有在其上形成的导电材料的开放互连壁结构,所述开放互连壁结构具有螺旋二十四面体结构,该螺旋二十四面体结构包括一个或多个开放孔,能够将供在产生和/或储存电荷中使用的活性材料沉积在所述一个或多个开放孔中,其中所述导电材料层和所述开放互连壁结构一起形成电荷收集器,所述电荷收集器从所述活性材料提供针对所产生的和/或储存的电荷的电路径。
搜索关键词: 电荷 收集 相关 方法
【主权项】:
一种装置,所述装置包括导电材料层,所述导电材料层具有在其上形成的导电材料的开放互连壁结构,所述开放互连壁结构具有螺旋二十四面体结构,所述螺旋二十四面体结构包括一个或多个开放孔,能够将供在产生和/或储存电荷中使用的活性材料沉积在所述一个或多个开放孔中,其中所述导电材料层和所述开放互连壁结构一起形成电荷收集器,所述电荷收集器从所述活性材料提供针对所产生的和/或储存的电荷的电路径,其中所述开放孔中的一些或全部开放孔是互相连接的,所述开放孔中的一些或全部开放孔形成至下面的导电材料层的在所述开放互连壁结构内的通过通道,所述开放孔中的一些或全部开放孔形成所述开放互连壁结构内的盲通道,周期性地布置所述开放孔中的一些或全部开放孔,其中所述开放孔中的一些或全部开放孔具有在2nm和50nm之间,包含2nm和50nm,的直径。
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