[发明专利]具有感测晶体管阵列的集成电路、感测装置及测量方法有效
| 申请号： | 201380053874.7 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104737008A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | J·H·克鲁特维杰克;M·梅舍;P·德格拉夫;B·马塞利斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 荷兰艾恩*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种集成电路(100)传感器阵列，包括：半导体衬底(110)；在所述衬底之上的绝缘层(120)；在所述绝缘层上的第一晶体管(140a)，第一晶体管包括在源极区(142a)与漏极区(144)之间的暴露的官能化沟道区(146a)，用于感测介质中的分析物；在所述绝缘层上的第二晶体管(140b)，第二晶体管包括在源极区(142b)与漏极区(144)之间的暴露的沟道区(146b)，用于感测所述介质的电势；和被导电性地耦合至半导体衬底的电压偏置发生器(150)，用于向所述晶体管提供偏置电压，所述电压偏置发生器可响应于第二晶体管。还公开了包括这样的IC的感测装置和利用这样的IC的分析物测量方法。 | ||
| 搜索关键词： | 有感 晶体管 阵列 集成电路 装置 测量方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路(100)，包括：‑半导体衬底(110)；‑在所述衬底之上的绝缘层(120)；‑在所述绝缘层上的第一晶体管(140a)，所述第一晶体管包括在源极区(142a)与漏极区(144)之间的暴露的官能化沟道区(146a)，所述官能化沟道区被布置用于感测介质中的分析物；‑在所述绝缘层上的第二晶体管(140b)，所述第二晶体管包括在源极区(142b)与漏极区(144)之间的暴露的沟道区(146b)，所述沟道区被布置用于感测所述介质的电势；和‑被导电性地耦合至所述半导体衬底的电压偏置发生器(150)，用于向所述第一晶体管和所述第二晶体管提供偏置电压，所述电压偏置发生器可响应于所述第二晶体管。
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