[发明专利]存储元件、存储装置和磁头在审
| 申请号： | 201380049184.4 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN104662686A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16;B82Y25/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种存储元件，包括分层结构，该分层结构包括：存储层，具有垂直于所述存储层的表面的磁化，并且对应于信息改变其磁化方向；钉扎磁化层，具有垂直于钉扎磁化层的表面的磁化，并且用作用于存储在存储层中的信息的标准；以及绝缘层，由非磁性材料组成并且被设置在存储层与钉扎磁化层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 磁头 | ||
【主权项】：
一种存储元件，包括：分层结构，包括：存储层，具有垂直于所述存储层的表面的磁化，并且对应于信息改变所述存储层的磁化方向；钉扎磁化层，具有垂直于所述钉扎磁化层的表面的磁化，并且用作用于存储在所述存储层中的信息的标准；以及绝缘层，由非磁性材料组成并且被设置在所述存储层与所述钉扎磁化层之间，其中，通过在所述分层结构的层压方向上注入自旋极化电子改变所述存储层的磁化方向来执行所述存储层中的信息的记录，其中，所述钉扎磁化层具有由非磁性层和至少两个铁磁性层组成的层压铁磁钉扎结构，其中，使用CoFeB磁性层配置所述钉扎磁化层中的与所述绝缘层接触的磁性材料，并且其中，所述钉扎磁化层中的不与所述绝缘层接触的磁性材料是使用Pt族金属元素和铁磁性3d过渡金属元素中的每一个的至少一种的合金和层压结构中的一个，所述铁磁性3d过渡金属元素是3d过渡金属元素中的铁磁性元素，并且所述Pt族金属元素的原子浓度低于所述铁磁性3d过渡金属元素的原子浓度。
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