[发明专利]X射线辐射探测器、计算机断层成像系统和为此的方法有效
| 申请号： | 201380048285.X | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104641255B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | S.卡普勒;B.克莱斯勒;M.拉巴延德因扎;D.尼德洛纳;M.莱因万德;C.施勒特;J.图恩;S.沃思;F.迪雷;K.斯蒂尔斯托弗;E.戈德尔;P.哈肯施密德;M.斯特拉斯伯格 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;G01T1/29 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 谢强 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于探测X射线辐射、尤其用于在CT系统(C1)中使用的直接转换的X射线辐射探测器(C3，C5)，至少具有用于探测X射线辐射的半导体材料(1)、至少一个准直器(2)和以附加辐射辐照半导体材料(1)的至少一个辐射源(6)，其中该至少一个准直器(2)在朝向半导体材料(1)的侧上具有至少一个反射层(3)，借助该反射层将附加辐射反射到半导体材料(1)上。此外，本发明涉及一种具有直接转换的X射线辐射探测器(C3，C5)的CT系统，以及一种用于借助直接转换的X射线辐射探测器(C3，C5)探测入射的X射线辐射的、尤其用于在CT系统(C1)中使用的方法，其中借助至少一个反射层(3)以附加辐射间接辐照用于探测的半导体材料(1)，以生成附加的载流子。 | ||
| 搜索关键词： | 射线 辐射 探测器 计算机 断层 成像 系统 为此 方法 | ||
【主权项】：
一种用于探测X射线辐射的直接转换的X射线辐射探测器(C3，C5)，至少具有：1.1用于探测X射线辐射的半导体材料(1)，1.2至少一个散射辐射格栅(2)，和1.3至少一个辐射源(6)，其以附加辐射辐照所述半导体材料(1)，其中，1.4所述至少一个散射辐射格栅(2)布置在X射线辐射的光路中的半导体前方，1.5所述至少一个散射辐射格栅(2)在所述散射辐射格栅的朝向所述半导体材料(1)的下侧上具有至少一个反射层(3)，所述至少一个反射层(3)是弯曲的和/或结构化的，并且所述至少一个反射层被配置为借助所述反射层将附加辐射均匀地反射到所述半导体材料(1)上。
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