[发明专利]高球形度籽晶和流化床颗粒硅的制备方法有效

专利信息
申请号: 201380041563.9 申请日: 2013-08-13
公开(公告)号: CN104540590B 公开(公告)日: 2017-03-08
发明(设计)人: 米克森·大卫;尼兰·克里斯托弗 申请(专利权)人: 江苏中能硅业科技发展有限公司
主分类号: B02C4/30 分类号: B02C4/30;B01J8/24;C01B33/00
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 代理人: 肖明芳
地址: 221004 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种高球形度籽晶和流化床颗粒硅的制备方法,其步骤包含,通过辊式装置将流化床法制备的颗粒硅作为原料进行破碎,所述辊式装置包括至少一组对辊,通过调节辊轮之间的空隙,使得大于空隙尺寸的颗粒硅被破碎,小于空隙尺寸的颗粒硅不被破碎,制备得到籽晶产品,并循环进入流化床中参与反应,沉积生成颗粒硅。本发明制备的籽晶具有较窄的粒度分布、高球形度,与低球形度的籽晶相比,其流化床床层具有较小的孔隙率,减少了均相成核生成硅微粉的几率。
搜索关键词: 球形 籽晶 流化床 颗粒 制备 方法
【主权项】:
一种用于流化床生产多晶硅工艺中的高球形度籽晶的制备方法,包括将具有一定粒度分布范围的颗粒硅产品作为原料,通过辊式装置对其进行辊式破碎的步骤,其特征在于所述辊式装置包括至少一组对辊,通过调节所述对辊的辊轮之间的空隙,使得尺寸大于所述辊轮空隙的颗粒硅被破碎,尺寸小于所述辊轮空隙的颗粒硅直接通过空隙,从而制备出高球形度的籽晶;其中,所述辊轮空隙尺寸x与原料颗粒硅的中位粒径d50以及目标籽晶的中位粒径D50满足以下关系:100μm<D50<d50<x<2400μm,其中颗粒硅尺寸分布dp的范围为100μm~2400μm;所述的颗粒硅产品按照如下方法制备得到:含硅原料气体和流态化气体在加有籽晶的流化床反应器内,于500℃~1200℃的反应温度下进行连续的热分解反应,并在籽晶表面沉积硅制备颗粒硅产品。
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