[发明专利]用于垂直MTJ的非晶态合金间隔物有效
| 申请号： | 201380039270.7 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN104488102B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | K·李;W-C·陈;S·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/15 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 唐杰敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种垂直磁性隧道结(MTJ)设备包括沉积在隧道势垒层与参考层之间的隧道磁阻(TMR)增强缓冲层。非晶态合金间隔物沉积在该TMR增强缓冲层与该参考层之间以增强TMR。该非晶态合金间隔物阻挡了面心立方(fcc)取向的固定层的模板效应，并且提供了该固定层与该TMR增强缓冲层之间的强耦合以确保完全的垂直磁化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 垂直 mtj 非晶态合金 间隔 | ||
【主权项】：
一种垂直磁性隧道结MTJ装置，包括：沉积在自由层与参考层之间的隧道势垒层；沉积在所述隧道势垒层与所述参考层之间的隧道磁阻TMR增强缓冲层；以及沉积在所述TMR增强缓冲层与所述参考层之间的非晶态合金TMR增强间隔物。
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