[发明专利]源自于四官能酰卤单体的薄膜复合膜在审
| 申请号： | 201380038531.3 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104470628A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | T·L·阿罗伍德;A·A·德塞;S·D·琼斯;M·保罗;A·罗伊 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号： | B01D69/12 | 分类号： | B01D69/12;B01D71/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： |
制造包括多孔载体和薄膜聚酰胺层的复合聚酰胺膜的方法，其中所述方法包括向多孔载体表面施加多官能胺单体和由式(I)表示的四酰卤单体并界面聚合所述单体以形成薄膜聚酰胺层的步骤；其中A选自：氧(-O-)；碳(-C-)；硅(-Si-)；其各自可以是未取代或例如用1-4个碳原子的烷基取代；或羰基(-C(O)-)，X是相同或不同的并选自卤素，和Y选自卤素和羟基。 |
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| 搜索关键词： | 源自 官能 单体 薄膜 复合 | ||
【主权项】：
用于制造包括多孔载体和薄膜聚酰胺层的复合聚酰胺膜的方法，其中所述方法包括向多孔载体的表面施加多官能胺单体和由式(I)表示的四酰卤单体并界面聚合所述单体以形成薄膜聚酰胺层的步骤；式(I):![]()
其中A选自：氧(‑O‑)；碳(‑C‑)；硅(‑Si‑)；其各自可以是未取代或被具有1‑4个碳原子的烷基取代的；或羰基(‑C(O)‑)，X是相同或不同的并选自卤素，和Y选自卤素和羟基。
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