[发明专利]使用不同PcBN层制造的多晶立方氮化硼(PcBN)体无效
| 申请号： | 201380036609.8 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN104507603A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 劳伦斯·托马斯·迪斯;托比约恩·英厄马尔·塞林德 | 申请（专利权）人： | 戴蒙得创新股份有限公司 |
| 主分类号： | B23B27/14 | 分类号： | B23B27/14;B32B18/00;C23C28/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 张爽;郭国清 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用覆盖立方氮化硼(cBN)粉末的层的方法制造多晶立方氮化硼(PcBN)，其中所述层具有与不同浓度的陶瓷混合的cBN。所述制造PcBN的方法包括在难熔容器内沉积碳化物，立方氮化硼(cBN)以及cBN和陶瓷的混合物，然后对所述难熔容器的内容物施加高压和高温(HPHT)。在所述方法的沉积步骤期间，在所述cBN和陶瓷的混合物中的cBN的浓度低于在其下层中的cBN的浓度。在施加HPHT时，所述碳化物首先扩散穿过所述cBN层，和然后扩散穿过具有所述cBN和陶瓷的混合物的层。在HPHT结束和所述难熔容器中的内容物冷却后，所述方法产生了如下的PcBN，其具有含有不同cBN浓度的层，和至少一个具有陶瓷材料的cBN层。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 不同 pcbn 制造 多晶 立方 氮化 | ||
【主权项】：
一种制造多晶立方氮化硼(PcBN)切削工具的方法，所述方法包括：沉积：第一量的基底；第二量的至少立方氮化硼(cBN)；第三量的cBN和陶瓷的混合物；和施加高压和高温(HPHT)。
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