[发明专利]单晶体切割方法无效
| 申请号： | 201380031273.6 | 申请日： | 2013-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN104428115A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 奥克塔维安·菲利普;鲍里斯·埃佩尔鲍姆;马蒂亚斯·比克尔曼;阿尔布雷希特·温纳克;保罗·海曼;乌尔里希·赛茨 | 申请（专利权）人： | N-水晶有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 德国菲*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于切割具有第一极轴(P1)的单晶体(1)的方法，所述方法包括以下步骤：将所述单晶体(1)相对于切割工具(2)设置为使得第一极轴(P1)基本垂直于待切割平面(SE)；将具有第二极轴(P2)的至少一个另一单晶体(5)设置为使得所述第一极轴(P1)与所述第二极轴(P2)基本平行但彼此相反；以及同时引导所述切割工具(2)沿待切割平面(SE)穿过所述单晶体(1)与所述至少一个另一单晶体(5)。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶体 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种用于切割具有第一极轴(P1)的单晶体(1)的方法，所述方法包括以下步骤：将所述单晶体(1)相对于切割工具(2)设置为使得所述第一极轴(P1)基本垂直于待切割平面(SE)；将具有第二极轴(P2)的至少一个另一单晶体(5)设置为使得所述第一极轴(P1)与所述第二极轴(P2)基本平行但彼此相反；以及同时引导所述切割工具(2)沿所述待切割平面(SE)穿过所述单晶体(1)与所述至少一个另一单晶体(5)。
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