[发明专利]激光二极管设备在审
| 申请号： | 201380019818.1 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104247172A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 乌韦·施特劳斯;森克·陶茨;艾尔弗雷德·莱尔;克莱门斯·菲尔海利希 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/024;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出一种激光二极管设备，所述激光二极管设备具有带有安装部件(11)的壳体(1)和在壳体(1)中在安装部件(11)上的基于氮化物-化合物导体材料的激光二极管芯片(2)，其中激光二极管芯片(2)借助于焊料层(3)直接安装在安装部件(11)上并且焊料层(3)具有大于或等于3μm的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 激光二极管 设备 | ||
【主权项】：
一种激光二极管设备，所述激光二极管设备具有带有安装部件(11)的壳体(1)和在所述壳体(1)中在所述安装部件(11)上的基于氮化物‑化合物半导体材料的激光二极管芯片(2)，所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有带有用于产生光的有源层(23)的半导体层(21，22，23，24)并且所述激光二极管芯片具有带有用于放射所产生的光的辐射耦合输出区域(270)的辐射耦合输出面(27)、与所述辐射耦合输出面(27)相对置的后侧面(28)和使所述辐射耦合输出面(27)和所述后侧面(28)连接的侧面(29)，其中所述激光二极管芯片(2)借助于焊料层(3)直接安装在所述安装部件(11)上并且所述焊料层(3)具有大于或等于3μm的厚度。
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