[发明专利]陶瓷胚片制造工序用剥离膜有效
| 申请号： | 201380016162.8 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN104220221B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 深谷知巳;市川慎也 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | B28B1/30 | 分类号： | B28B1/30;B32B27/00;B32B27/16 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种陶瓷胚片制造工序用剥离膜(1)，其包括基材(11)，设置于基材(11)的一侧的剥离剂层(12)，其中剥离剂层(12)为包含活性能量射线固化性成分以及硅酮类成分的剥离剂组合物的固化物，剥离剂层(12)的与基材(11)相反侧的面的算数平均粗糙度(Ra)为8nm以下，且最大突起高度(Rp)为50nm以下。根据照此陶瓷胚片制造工序用剥离膜(1)，能够防止/抑制在陶瓷胚片上产生针孔或厚度不均等缺陷，而且陶瓷胚片的剥离性也优异。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 制造 工序 剥离 | ||
【主权项】：
一种陶瓷胚片制造工序用剥离膜，具备基材及设置于所述基材的一侧的剥离剂层，其特征在于，所述剥离剂层为包含活性能量射线固化性成分以及硅酮类成分的剥离剂组合物的固化物；所述剥离剂层的与所述基材相反侧的面的算数平均粗糙度(Ra)为8nm以下，且最大突起高度(Rp)为50nm以下，其中，所述活性能量射线固化性成分为(甲基)丙烯酸酯，所述(甲基)丙烯酸酯包括三官能以上的(甲基)丙烯酸酯，所述剥离剂组合物中的所述硅酮类成分相对于所述活性能量射线固化性成分以及所述硅酮类成分的总质量的质量比例为0.7～5质量％。
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