[发明专利]Cu-In-Ga-Se太阳能电池用玻璃基板及使用该玻璃基板的太阳能电池

摘要

本发明的CIGS太阳能电池用玻璃基板通过硒化法制作。玻璃基板表层与内部的Ca+Sr+Ba之比为0.7以下。玻璃基板表面与内部的Na₂O含量比为0.4～1.1。玻璃基板表层的Na在热处理前后的比为1.1以上。在距离玻璃基板表面的深度5000nm以上，以基于下述氧化物的质量百分率计含有50～72％的SiO₂、1～15％的Al₂O₃、0～10％的MgO、0.1～11％的CaO、0～13％的SrO、0～11％的BaO、1～11％的Na₂O、2～21％的K₂O、0～10.5％的ZrO₂、4～25％的MgO+CaO+SrO+BaO、2～23％的CaO+SrO+BaO、8～22％的Na₂O+K₂O，且Na₂O/(CaO+SrO+BaO)≤1.2。玻璃基板的玻璃化转变温度为580℃以上、平均热膨胀系数为70×10^-7～100×10^-7/℃。该玻璃基板能够兼顾高发电效率和高玻璃化转变温度。

主权项

一种通过硒化法制作的Cu‑In‑Ga‑Se太阳能电池用玻璃基板，其中，距离玻璃基板表面的深度为10～40nm之间的Ca、Sr和Ba的平均总量(原子％)与距离玻璃基板表面的深度为5000nm处的Ca、Sr和Ba的总量(原子％)之比为0.7以下，利用荧光X射线从玻璃基板表面测定的Na₂O含量(质量％)与利用荧光X射线从自玻璃基板表面起除去5000nm的玻璃后的面测定的Na₂O含量(质量％)之比为0.4～1.1，距离玻璃基板表面的深度为10～40nm之间的平均Na量(原子％)在N₂气氛下、600℃、1小时的热处理前后的比为1.1以上，在距离玻璃基板表面的深度5000nm以上，以基于下述氧化物的质量百分率计含有50～72％的SiO₂、1～15％的Al₂O₃、0～10％的MgO、0.1～11％的CaO、0～13％的SrO、0～11％的BaO、1～11％的Na₂O、2～21％的K₂O、0～10.5％的ZrO₂、4～25％的MgO+CaO+SrO+BaO、2～23％的CaO+SrO+BaO、8～22％的Na₂O+K₂O，且Na₂O/(CaO+SrO+BaO)≤1.2，所述玻璃基板的玻璃化转变温度为580℃以上、平均热膨胀系数为70×10^‑7～100×10^‑7/℃。