[实用新型]一种抗单粒子效应的带隙基准有效
| 申请号： | 201320896211.9 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN203720695U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 徐江涛;贾文龙;姚素英;史再峰;高静 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种抗单粒子效应的带隙基准，有栅极相连的第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3，基极与集电极都接地的第一三极管Q1、第二三极管Q2和第三三极管Q3，以及运算放大器F，M1管、M2管和M3管的源极分别连接电源VDD，M1管的漏极和第一三极管Q1的发射极均连接运算放大器F的反相输入端，M2管的漏极连接运算放大器F的同相输入端，第二三极管Q2的发射极通过电阻R1连接运算放大器F的同相输入端，M3管的漏极构成带隙基准输出端Vout，第三三极管Q3的发射极通过电阻R2连接M3管的漏极，运算放大器F的同相输入端Y连接辅助电路。本实用新型减小了单粒子效应的影响，可应用于太空等辐射条件下。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 效应 基准 | ||
【主权项】：
一种抗单粒子效应的带隙基准，包括：栅极相互连接的第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3，基极与集电极都接地的第一三极管Q1、第二三极管Q2和第三三极管Q3，以及运算放大器F，其中，所述第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3的源极分别连接电源VDD，所述第一PMOS管M1的漏极和第一三极管Q1的发射极均连接运算放大器F的反相输入端（X），所述第二PMOS管M2的漏极连接运算放大器F的同相输入端（Y），所述第二三极管Q2的发射极通过电阻R1连接运算放大器F的同相输入端，所述第三PMOS管M3的漏极构成带隙基准输出端Vout，所述第三三极管Q3的发射极通过电阻R2连接第三PMOS管M3的漏极，其特征在于，所述的运算放大器F的同相输入端Y连接用来实现受到单粒子效应时的分流电流的辅助电路（B）。
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