[实用新型]一种高压方波发生器有效
| 申请号： | 201320858979.7 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN203617979U | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 龙兆芝;李文婷;丁卫东;刘少波;任想;乔兵兵 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;中国电力科学研究院;西安交通大学 |
| 主分类号： | H03K3/64 | 分类号： | H03K3/64 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高压方波发生器，所述发生器包括高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、上升沿电路、下降沿电路和同步控制触发模块；所述上升沿电路包括固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路；所述下降沿电路包括固体开关MOSFET电路与雪崩三极管串；所述高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路和雪崩三极管串依次连接；所述高压直流源为直流模块电源；所述储能电容为高压薄膜脉冲电容器。本实用新型结构紧凑、性能稳定、带负载能力强，携带方便，可操作性强，抗电磁干扰能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 方波 发生器 | ||
【主权项】：
一种高压方波发生器，其特征在于，所述发生器包括高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、上升沿电路、下降沿电路和同步控制触发模块；所述上升沿电路包括固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路；所述下降沿电路包括固体开关MOSFET电路与雪崩三极管串；所述高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路和雪崩三极管串依次连接；所述高压直流源为直流模块电源；所述储能电容为高压薄膜脉冲电容器。
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