[实用新型]带二次过压及欠压保护功能的电池保护电路有效

专利信息
申请号: 201320649429.4 申请日: 2013-10-22
公开(公告)号: CN203522160U 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 刘亚 申请(专利权)人: 深圳众鑫凯科技有限公司
主分类号: H02H7/18 分类号: H02H7/18
代理公司: 东莞市冠诚知识产权代理有限公司 44272 代理人: 何恒韬
地址: 518000 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了带二次过压及欠压保护功能的电池保护电路,包括电池模块、电池保护IC、第一N-MOS、第二N-MOS;电池模块总正极电连接负载正极及充电正极端口;电池模块总负极经第一N-MOS、第二N-MOS后,与负载负极及充电负极端口电连接;电池保护IC分别与第一N-MOS及第二N-MOS电连接;还包括二次过压保护/欠压保护检测IC、二次保护晶体管及保险丝,保护检测IC分别与电池保护IC及二次保护晶体管连接,二次保护晶体管设于电池模块总正极与充电负极之间,保险丝设于第二N-MOS管与充电负极之间,或设于电池模块总负极与第一N-MOS之间,或设于第一N-MOS与第二N-MOS之间。本实用新型在电池过压、欠压一次保护失效情况下,能稳定、有效、安全地通过二次保护电路保护电池不过度充电或者放电。
搜索关键词: 二次 保护 功能 电池 电路
【主权项】:
带二次过压及欠压保护功能的电池保护电路,其特征在于:包括电池模块、电池保护IC、第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管;所述电池模块的总正极电连接负载正极及充电正极端口;所述电池模块的总负极经第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管后,与负载负极及充电负极端口电连接;所述电池保护IC的放电控制脚与第一N沟道MOS管电连接,所述电池保护IC的充电控制脚与第二N沟道MOS管电连接;还包括二次过压保护/欠压保护检测IC、二次保护晶体管及保险丝,所述二次过压保护/欠压保护检测IC分别与电池保护IC及二次保护晶体管电连接,所述二次保护晶体管设于电池模块总正极与负载负极及充电负极端口之间;所述保险丝设于第二N沟道MOS管与负载负极及充电负极端口之间,或者设于电池模块总负极与第一N沟道MOS管之间,或者设于第一N沟道MOS管与第二N沟道MOS管之间。
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