[实用新型]一种单磁阻TMR磁场传感器芯片及验钞机磁头有效
| 申请号： | 201320451445.2 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN203551758U | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·G·迪克;郭海平 | 申请（专利权）人： | 江苏多维科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G07D7/04 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 李艳;孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种单磁阻TMR磁场传感器芯片及验钞机磁头。其中单磁阻TMR磁场传感器芯片安装在磁激励元件上方，芯片的感应方向与芯片表面平行，磁激励元件在芯片处产生的激励磁场的方向垂直于芯片表面，该芯片包括:基片、沉积在基片上的磁偏置结构、磁电阻元件以及输入、输出接线端；磁电阻元件由MTJ构成；磁电阻元件的感应方向、MTJ的感应方向均与芯片的感应方向相同；磁偏置结构在芯片处产生的偏置磁场的方向垂直于芯片的感应方向。该实用新型提供了一种具有高灵敏度、高信噪比、小体积、高温度稳定性和高可靠性的磁场传感器芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁阻 tmr 磁场 传感器 芯片 验钞机 磁头 | ||
【主权项】：
一种单磁阻TMR磁场传感器芯片，安装在磁激励元件上方，该芯片的感应方向与芯片表面平行，磁激励元件在芯片处产生的激励磁场的方向垂直于芯片表面，其特征在于，单磁阻TMR磁场传感器芯片包括:基片、沉积在基片上的磁偏置结构、磁电阻元件以及输入、输出接线端；磁电阻元件由至少一个MTJ单元构成；所述MTJ单元由至少一个MTJ串构成；所述MTJ串由至少一个MTJ构成；所述磁电阻元件的感应方向、所述MTJ的感应方向均与所述芯片的感应方向相同；所述磁偏置结构在所述芯片处产生的偏置磁场的方向垂直于所述芯片的感应方向。
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