[实用新型]集成电路高功率微波损伤效应模拟分析仪有效

专利信息
申请号: 201320402440.0 申请日: 2013-07-08
公开(公告)号: CN203455448U 公开(公告)日: 2014-02-26
发明(设计)人: 高雪莲;冯楠;崔振南;赵磊;张晓宇 申请(专利权)人: 华北电力大学
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102206 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了属于微波损伤效应模拟分析仪范畴的一种集成电路高功率微波损伤效应模拟分析仪,其特征在于,电磁特性扫描板位于长方体外壳顶部,频谱分析仪显示屏、液晶显示屏、开/关键、扫描启动/暂停键以及分析启动/暂停键位于长方体外壳正面,电源插头位于长方体外壳背面。本实用新型的有益效果是解决了以往高功率微波损伤效应的实验测试和模拟仿真过程各自独立,获得损伤效应结果周期长,步骤繁琐的问题,将集成电路高功率微波损伤效应实验过程与模拟分析过程结合,直接利用测试数据进行模拟分析,简化了分析流程,能快速获得损伤效应结果。
搜索关键词: 集成电路 功率 微波 损伤 效应 模拟 分析
【主权项】:
集成电路高功率微波损伤效应模拟分析仪,其特征在于,电磁特性扫描板位于长方体外壳顶部,频谱分析仪显示屏、液晶显示屏、开/关键、扫描启动/暂停键以及分析启动/暂停键位于长方体外壳正面,电源插头位于长方体外壳背面;所述长方体外壳内部,微控制器分别连接电源模块、扫描控制模块、分析控制模块、液晶显示控制模块、扫描板控制模块和频谱分析仪控制模块。
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