[实用新型]一种FPGA片上低功耗系统有效
申请号: | 201320372093.1 | 申请日: | 2013-06-26 |
公开(公告)号: | CN203406851U | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 何弢 | 申请(专利权)人: | 成都鸿芯纪元科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/177 | 分类号: | H03K19/177 |
代理公司: | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人: | 李高峡 |
地址: | 610041 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开一种FPGA片上低功耗系统,包括参考电压电路、上电复位模块、DLL电源模块、SRAM电源模块;所述参考电压电路提供1.2V和1.8V的双电压基准,上电复位模块包括一个在芯片电源上升到1.6V时发出上电复位的POR脉冲信号的上电复位电路,DLL电源模块包括一个为DLL延迟链提供2V电压的稳压器,所述SRAM电源模块从芯片电源VDD通过电压变换得到另一电压SRAMVDD,所述SRAMVDD电压高于电压VDD,电压SRAMVDD和电压VDD分别加在不同的SRAM单元上,SRAMVDD电压同时加在SRAM单元的PMOS晶体管的源端和PMOS晶体管的衬底上。本实用新型能降低FPGA芯片了芯片的动态开关功耗和短路功率,降低SRAM存储器的动态开关功耗和静态直流功率,提高FPGA芯片的安全性和工作的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 fpga 片上低 功耗 系统 | ||
【主权项】:
一种FPGA片上低功耗系统,其特征在于:包括参考电压电路、上电复位模块、DLL电源模块、SRAM电源模块;所述参考电压电路提供1.2V和1.8V的双电压基准,所述上电复位模块包括一个在芯片电源上升到1.6V时发出上电复位的POR脉冲信号的上电复位电路,所述DLL电源模块包括一个为DLL延迟链提供2V电压的稳压器,所述SRAM电源模块从芯片电源VDD通过电压变换得到另一电压SRAMVDD,所述SRAMVDD电压高于电压VDD,电压SRAMVDD和电压VDD分别加在不同的SRAM单元上,SRAMVDD电压同时加在SRAM单元的PMOS晶体管的源端和PMOS晶体管的衬底上。
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