[实用新型]MOS管参数测试的保护电路有效
| 申请号： | 201320290950.3 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN203365628U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 曹钟林 | 申请（专利权）人： | 无锡商业职业技术学院 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及MOS管参数测试的保护电路。MOS管参数测试的保护电路，包括MOS管，还包括保护电路，所述保护电路由第一二极管、第二二极管及第三二极管构成的MOS管保护电路之一：其中第一二极管、第二二极管接在MOS管的栅极与源极之间，第三二极管正极接MOS管源极，负极接MOS管漏极，第一二极管、第二二极管为反向串接稳压二极管。其中第一二极管、第二二极管为反向串接稳压二极管接在MOS管的栅极与源极之间，可有效避免MOS管栅源极间击穿，第三二极管接MOS管漏极与源极之间，可有效避免MOS管漏源极间由于瞬间电压过高而击穿，从而达到动态保护作用。 | ||
| 搜索关键词： | mos 参数 测试 保护 电路 | ||
【主权项】：
MOS管参数测试的保护电路，包括MOS管，其特征在于：还包括保护电路，所述保护电路包括第一二极管（D1）、第二二极管（D2）及第三二极管（D3）：其中第一二极管（D1)、第二二极管(D2)接在MOS管的栅极(G)与源极(S)之间，第三二极管（D3）正极接MOS管源极（S），负极接MOS管漏极（D），第一二极管（D1)、第二二极管(D2)为反向串接稳压二极管。
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