[实用新型]一种带浪涌尖峰吸收的MOS有效
| 申请号： | 201320264197.0 | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN203243035U | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 乔宇波;梁明;张雷 | 申请（专利权）人： | 深圳市盛元半导体有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种带浪涌尖峰吸收的MOS，包括设置在外壳内的MOS芯片，所述MOS芯片上封装有TVS二极管，所述TVS二极管与MOS芯片的D极和S极连接，用于保护MOS防止由于VDS过压导致损坏。与传统技术相比，本实用新型节省空间和提高生产效率，提高电路可靠性和性价比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浪涌 尖峰 吸收 mos | ||
【主权项】：
一种带浪涌尖峰吸收的MOS，包括设置在外壳内的MOS芯片，其特征是：所述MOS芯片上封装有TVS二极管，所述TVS二极管与MOS芯片的D极和S极连接。
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