[实用新型]低电压带隙基准电压源

摘要

本实用新型公开了一种低电压带隙基准电压源，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第十九MOS管、第二十MOS管、第二十一MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管，本实用新型低电压带隙基准电压源的结构简单、效率高、并且工作状态稳定。

主权项

一种低电压带隙基准电压源，其特征在于：包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第十九MOS管、第二十MOS管、第二十一MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管，所述第七MOS管的源极、所述第五MOS管的源极、所述第一MOS管的源极、所述第三MOS管的源极、第九MOS管的源极、所述第十一MOS管的源极、所述第十三MOS管的源极和所述第十五MOS管的源极连接后再与电压输入端连接，所述第七MOS管的漏极与所述第八MOS管的源极连接，所述第五MOS管的栅极分别与所述第八MOS管的栅极、所述第六MOS管的栅极、所述第六MOS管的漏极和所述第十八MOS管的漏极，所述第六MOS管的源极分别与所述第五MOS管的漏极和所述第二MOS管的源极连接，所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的源极连接，所述第二MOS管的栅极与所述第四MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的栅极分别与所述第三MOS管的栅极、所述第二MOS管的漏极和所述第十九MOS管的漏极连接，所述第三MOS管的漏极与所述第四MOS管的源极连接，所述第四MOS管的漏极分别与所述第七MOS管的栅极、所述第九MOS管的源极和所述第二十MOS管的漏极连接，所述第四MOS管的源极与所述第十MOS管的源极连接，所述第九MOS管的漏极与所述第十MOS管的源极连接，所述第十MOS管的漏极分别与所述第一电阻的第一端和所述第十九MOS管的栅极连接，所述第九MOS管的栅极与所述第十一MOS管的源极连接，所述第十MOS管的栅极与所述第十二MOS管的源极连接，所述第十一MOS管的漏极与所述第十二MOS管的源极连接，所述第十二MOS管的漏极与所述第二电阻的第一端连接，所述第十一MOS管的栅极与所述第十三MOS管的栅极连接，所述第十二MOS管的栅极与所述第十四MOS管的栅极连接，所述第十三MOS管的源极与所述第十五MOS管的栅极连接，所述第十三MOS管的漏极与所述第十四MOS管的源极连接，所述第十四MOS管的漏极与所述第三电阻的第一端连接后再与外接电路连接，所述第十五MOS管的漏极与所述第十六MOS管的源极连接，所述第十六MOS管的漏极分别与所述第二十MOS管的栅极和所述第四三极管的发射极连接，所述第十九MOS管的源极分别与所述第二十一MOS管的漏极和所述第二十MOS管的源极连接，所述第一电阻的第二端与所述第一三极管的发射极连接，所述第二电阻的第二端分别与所述第一三极管的基极和所述第二三极管的发射极连接，所述第三电阻的第二 端分别与所述第四三极管的基极和所述第三三极管的发射极连接，所述第八MOS管的漏极分别与所述第十七MOS管的漏极、所述第十七MOS管的栅极和所述第十八MOS管的栅极连接，所述第十八MOS管的源极与所述第二十一MOS管的栅极连接，所述第十七MOS管的源极、所述第十八MOS管的源极、所述第二十一MOS管的源极、所述第一三极管的集电极、所述第二三极管的集电极、所述第二三极管的基极、所述第三三极管的基极、所述第三三极管的集电极和所述第四三极管的集电极连接后接地。