[实用新型]阵列式光电导天线结构有效
| 申请号： | 201320178758.5 | 申请日： | 2013-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN203277643U | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 施卫;吴宇;杨汇鑫;侯磊 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学;东莞市五峰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/38 | 分类号： | H01Q1/38;H01Q21/28 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种阵列式光电导天线结构，包括在砷化镓材料上用电子束蒸发工艺淀积的多对Au/Ge/Ni电极，构成天线阵列，正负电极交叉设置，呈叉指形结构，每对电极为一个天线阵元且相互独立；天线阵列安装在陶瓷片支撑衬底上，陶瓷片上设有太赫兹波通过的孔。本实用新型天线阵列，每对电极可以作为单独的天线使用，各自施加偏压；电极做成相同结构时即可进行合成。本实用新型可以有效减少砷化镓材料的使用，从而降低了成本，并且可以通过多个阵元的相干合成提高天线的辐射功率。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 电导 天线 结构 | ||
【主权项】：
一种阵列式光电导天线结构，其特征在于：包括在砷化镓材料上用电子束蒸发工艺淀积多对Au/Ge/Ni电极，构成天线阵列，正负电极交叉设置，呈叉指形结构，每对电极为一个天线阵元且相互独立；天线阵列安装在陶瓷片支撑衬底上，陶瓷片上设有太赫兹波通过的孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学;东莞市五峰科技有限公司，未经西安理工大学;东莞市五峰科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320178758.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
