[发明专利]一种监测暗电流的方法

摘要

本发明提供了一种监测暗电流的方法，其特征在于：在太阳能电池片上加上反偏电压，反偏电压对太阳能电池片产生电注入，激发出非平衡载流子，形成暗电流；暗电流由反向饱和电流J1、薄层漏电流J2和体漏电流J3组成的，暗电流随反偏电压的升高而升高并分为3个区，1区、2区、3区暗电流分别由J2、J3、J1起支配作用。本发明提供的方法克服了现有技术的不足，通过对太阳能电池片暗电流的监测，来观察可能出现的太阳能电池片工艺的问题，可以缩小工艺排查范围和降低因漏电而引起的低效，增加了太阳能电池片电性能的合格率。

主权项

一种监测暗电流的方法，其特征在于：在太阳能电池片上加上反偏电压，反偏电压对太阳能电池片产生电注入，电注入激发出非平衡载流子，反偏电压越大激发的非平衡载流子越多，形成的暗电流越大，暗电流的增长速度随反偏电压增大而变慢；暗电流由反向饱和电流J1、薄层漏电流J2和体漏电流J3组成的，暗电流随反偏电压的升高而升高并分为3个区，1区、2区的分界点电压值为6V，2区、3区的分界点电压值为12V；1区暗电流由薄层漏电流J2起支配作用，2区暗电流由体漏电流J3起支配作用，3区暗电流由反向饱和电流J1起支配作用；如果1区暗电流大于1A，则说明太阳能电池片的薄层区出了问题；如果2区暗电流大于10A，说明问题出在太阳能电池片的体区；如果3区暗电流大于2A，说明太阳能电池片的PN结有问题。