[发明专利]ECR氧-氩等离子体刻蚀技术制备的超薄碳膜及方法有效
| 申请号： | 201310728820.8 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103741106A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 刁东风;郭美玲;范雪 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ECR氧-氩等离子体刻蚀技术制备的超薄碳膜及方法。该方法利用ECR等离子体加工系统通过氩等离子体溅射沉积碳膜和氧-氩等离子体刻蚀已沉积碳膜两个过程来实现，克服了直接沉积超薄碳膜容易出现的无法形成均匀连续薄膜的缺点，具有重要的应用价值。本发明制备的超薄碳膜，其膜厚范围为1.5～3.5nm，表面均方根粗糙度为0.10～0.12nm。 | ||
| 搜索关键词： | ecr 等离子体 刻蚀 技术 制备 超薄 方法 | ||
【主权项】：
ECR氧‑氩等离子体刻蚀技术制备的超薄碳膜及方法，其特征在于，包括以下步骤：1）利用ECR等离子体加工系统通过氩等离子体溅射法，在基体上沉积厚度为3～10nm的碳膜；2）利用ECR等离子体加工系统通过氧‑氩等离子体刻蚀法，对氩等离子体溅射沉积的碳膜进行刻蚀减薄，得到膜厚为1.5～3.5nm的超薄碳膜。
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