[发明专利]一种改进的差分架构SONOS Flash存储单元无效
| 申请号： | 201310723107.4 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103745748A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 翁宇飞;姜伟;张其笑;胡玉青;李二亮 | 申请（专利权）人： | 苏州宽温电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进的差分架构SONOSFlash存储单元，包括两个完全相同的SONOS晶体管M1和M2，所述M1和M2的栅极相连，作为整个存储单元的字线，所述M1和M2的漏极分别连接存储单元的两根源线SL1和SL2，所述M1和M2的源极分别作为存储单元的两根位线BL1和BL2。本发明采用差分架构，有效地扩大了读操作时的可区分电流范围，存储单元支路的阻抗匹配更好，稳定性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 架构 sonos flash 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种改进的差分架构SONOS Flash存储单元，其特征在于：包括两个完全相同的SONOS晶体管M1和M2，所述M1和M2的栅极相连，作为整个存储单元的字线，所述M1和M2的漏极分别连接存储单元的两根源线SL1和SL2，所述M1和M2的源极分别作为存储单元的两根位线BL1和BL2。
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