[发明专利]APD温度自适应近红外单光子探测装置在审
| 申请号： | 201310722451.1 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103728030A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 张战盈;徐赤东;纪玉峰;余东升;方蔚恺;张伟丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | G01J11/00 | 分类号： | G01J11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 23000*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了APD温度自适应近红外单光子探测装置，包括雪崩光电二极管APD、直流偏压温度跟随电路、直流偏压保护电路、信号放大输出电路、DC-DC高压模块和外壳；直流偏压温度跟随电路、直流偏压保护电路与DC-DC高压模块输入端连接；雪崩光电二极管APD的阴极通过电阻R1与DC-DC高压模块输出端连接；雪崩光电二极管APD的阳极与信号放大输出电路连接；雪崩光电二极管APD的阳极通过负载电阻R2接地；直流偏压温度跟随电路、直流偏压保护电路、信号放大输出电路、DC-DC高压模块安装在外壳的内腔；雪崩光电二极管APD嵌入外壳的前端。本发明通过直流偏压温度跟随电路，保证温度变化时APD增益的稳定。 | ||
| 搜索关键词： | apd 温度 自适应 红外 光子 探测 装置 | ||
【主权项】：
APD温度自适应近红外单光子探测装置，其特征在于，包括雪崩光电二极管APD、直流偏压温度跟随电路、直流偏压保护电路、信号放大输出电路、DC‑DC高压模块和外壳；所述直流偏压温度跟随电路、直流偏压保护电路与DC‑DC高压模块输入端连接；所述雪崩光电二极管APD的阴极通过电阻R1与DC‑DC高压模块输出端连接；所述雪崩光电二极管APD的阳极与信号放大输出电路连接；所述雪崩光电二极管APD的阳极通过负载电阻R2接地；所述外壳包括两端由端盖封闭的筒形壳体；所述直流偏压温度跟随电路、直流偏压保护电路、信号放大输出电路、DC‑DC高压模块均安装在筒形腔体内；所述雪崩光电二极管APD嵌在外壳的端盖上。
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