[发明专利]基于叠印啁啾结构的DFB半导体激光器及激光器阵列

摘要

本发明公开了一种基于叠印啁啾结构的DFB半导体激光器，激光器腔内的光栅采用叠印啁啾光栅结构，由两个完全相同纳米精度的啁啾光栅在激光器腔内纵向排列组成；两个啁啾光栅级联或者重叠写入。两个完全相同的啁啾光栅在激光器光栅层纵向叠印后，可以以这两个光栅为反射面形成分布式谐振腔，从而产生多波长激射。为了降低加工成本，引入重构‑等效啁啾技术（REC技术），将加工精度要求从亚纳米降低到亚微米，本发明还提供两种DFB半导体激光器单片集成的激光器阵列。基于REC技术的叠印啁啾结构的多波长DFB半导体激光器，采用采样布拉格光栅替代普通布拉格光栅，用等效光栅来实现叠印啁啾结构，降低了工艺的复杂程度，也提高了成品率。

主权项

一种基于叠印啁啾结构的DFB半导体激光器，其特征在于：该激光器腔内的光栅采用叠印啁啾光栅结构，由两个完全相同纳米精度的啁啾光栅在激光器腔内纵向排列组成；所述两个啁啾光栅级联或者重叠写入；激光器腔内的光栅位于有源区上方，叠印啁啾光栅构成分布式的法布里‑珀罗腔，该法布里‑珀罗腔具备多波长的谐振峰，这些谐振峰在有源区的谐振位置是纵向错开的，在空间不会重叠的；整个谐振腔只包含一个电极，能够激射多个波长。