[发明专利]离化率检测装置及方法

摘要

本发明涉及一种离化率检测装置和方法，其包括离子沉积速率检测单元和总沉积速率检测单元；总沉积速率检测单元用于通过检测沉积在被加工工件上的薄膜厚度而获得溅射粒子的总沉积速率；离子沉积速率检测单元用于检测溅射粒子中离子的沉积速率，其包括导电金属片、隔离件、电流检测装置及直流电源；导电金属片置于被加工工件上；隔离件用以将导电金属片与外界电绝缘；隔离件的位于导电金属片上方的位置处设有竖直的通孔；直流电源用以向导电金属片加载负偏压；电流检测装置用于检测电路上的电流；根据电流进行计算而获得溅射粒子中离子的沉积速率，并通过计算溅射粒子的离子沉积速率与总沉积速率的比值而获得溅射粒子的离化率。

主权项

一种离化率检测装置，其特征在于，所述离化率检测装置包括离子沉积速率检测单元和总沉积速率检测单元；所述总沉积速率检测单元用于通过检测沉积在被加工工件上的薄膜厚度而获得溅射粒子的总沉积速率；所述离子沉积速率检测单元用于检测溅射粒子中离子的沉积速率，其包括导电金属片、隔离件、电流检测装置及直流电源；其中所述被加工工件的上表面上覆盖有绝缘层；所述导电金属片置于所述被加工工件的绝缘层上；所述隔离件采用绝缘材料制作，用以将导电金属片与外界电绝缘；并且，所述隔离件的位于导电金属片上方的位置处设有竖直的通孔，在进行溅射沉积工艺的过程中，溅射粒子通过所述通孔沉积至所述导电金属片的上表面上；所述直流电源的正极接地，负极与所述导电金属片连接，用以在进行溅射沉积工艺的过程中向导电金属片加载负偏压；所述电流检测装置串接于所述导电金属片与所述直流电源之间的电路中，用于检测该电路上的电流；根据所述电流进行计算而获得溅射粒子中离子的沉积速率，并通过计算所述溅射粒子的离子沉积速率与总沉积速率的比值而获得溅射粒子的离化率。