[发明专利]带隙基准电路

摘要

一种带隙基准电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻。本发明的技术方案的第二三极管的基极电流和第三三极管的基极电流的温度系数可以抵消，利用第一电阻和第二电阻的电阻值调节流入输出端的电流，使其具有恒定的温度系数，所以带隙基准电路输出的基准电压也具有恒定的温度系数。

主权项

一种带隙基准电路，其特征在于，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；所述第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极、第三PMOS管的源极和第四PMOS管的源极适于输入电源电压；所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极、第三PMOS管的栅极、第四PMOS管的栅极和第二NMOS管的漏极，所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极、第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极；所述第三PMOS管的漏极连接所述第三电阻的第一端；所述第四PMOS管的漏极连接所述第三三极管的集电极；所述第一NMOS管的源极连接所述第一三极管的集电极和第二三极管的基极；所述第二NMOS管的源极连接所述第二三极管的集电极、第一三极管的基极、第一电阻的第一端和第三三极管的基极；所述第一三极管的发射极接地；所述第二三极管的发射极连接所述第二电阻的第一端；所述第三三极管的发射极连接所述第四电阻的第一端；所述第一电阻的第二端、第二电阻的第二端、第三电阻的第二端和第四电阻的第二端接地；所述第二三极管的尺寸大于所述第一三极管的尺寸，所述第二三极管和第三三极管的尺寸相同，所述第二PMOS管和第四PMOS管的尺寸相同，所述第二电阻和第四电阻的电阻值相等。