[发明专利]一种应用于触摸屏感应器的镀Ag导电膜的生产方法

摘要

本发明涉及一种应用于触摸屏感应器的镀Ag导电膜生产方法。本发明采用Ag做TPSENSOR的导线具有的导线细、单位面积导线多、功率低等基础优点之外，还具备以下优点：1）老化后的预处理工艺可保证产品在后续制程中尺寸变化小于0.01%～0.05%；2）完成的三层金属复合膜层与ITO层的附着力不低于1级ASTN检测标准（美国行业检测标准）；3）完成的三层金属复合膜层的面电阻不大于0.4ohm/□（单位为方阻）；4）溅射制程中严格控制膜层针孔大小与数量，针孔直径不大于0.005mm，0.003~0.005mm之间的针孔数量不多于9个/平米。

主权项

一种应用于触摸屏感应器的镀Ag导电膜的生产方法，其特征在于：依次包括有以下步骤：第一步，在柔性基膜上采用通用磁控溅射镀上ITO层，完成后进行老化，老化条件在135℃‑150℃的温度下保持20min‑40 min；第二步，对老化后产品采用中频等离子清洗工艺，对ITO层表面进行预处理，等离子电极功率密度在1.6 w/cm2～3.2w/cm2；第三步，在ITO层上采用专用磁控溅射镀上Mo金属层或Ti金属层，镀层厚度范围在2nm~3nm之间，所述专用磁控溅射的条件是：采用纯度质量百份比为99.99%以上的Mo金属或纯度质量百份比为99.99%以上的Ti金属作为磁控溅射的靶材，靶基距小于或等于90mm，磁场强度大于或等于700GS;第四步，在Mo金属层或Ti金属层上采用通用磁控溅射镀上Ag合金层,该Ag合金层包括有占合金质量百份比1%~4%Au, Ag合金层其余材料均为Ag,镀层厚度是85nm~180nm; 第五步，在Ag合金层上通过通用磁控溅射镀上Mo金属层，Mo金属层的厚度是2 nm ~3nm，Mo金属层中的Mo纯度质量百份比为99.99%以上。