[发明专利]基于面积的OPC模型校准方法有效
| 申请号： | 201310654729.6 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104698761A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 王良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种基于面积的OPC模型校准方法，包括：提供初始的OPC模型、晶圆图形和形成所述晶圆图形的光刻工艺参数；获取所述晶圆图形的实际面积；将所述晶圆图形和上述光刻工艺参数输入到初始的OPC模型中，得到与晶圆图形相对应的仿真图形，获取所述仿真图形的面积；以晶圆图形的实际面积为基准，对所述初始的OPC模型进行校准，直至所述仿真图形的面积与对应的晶圆图形的实际面积之间的相差值小于等于第一预定值。由上述方法校准得到的OPC模型更为准确，可有效提高后续制造导电孔时的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 面积 opc 模型 校准 方法 | ||
【主权项】：
一种基于面积的OPC模型校准方法，其特征在于，包括：提供初始的OPC模型、晶圆图形、与所述晶圆图形相对应的初始的OPC模型、可读取的晶圆图形文件和形成所述晶圆图形的光刻工艺参数；获取所述晶圆图形的实际面积；将所述晶圆图形文件和上述光刻工艺参数输入到初始的OPC模型中，得到与晶圆图形相对应的仿真图形，获取所述仿真图形的面积；以所述晶圆图形的实际面积为基准，对所述初始的OPC模型进行校准，直至由校准后的OPC模型得到的仿真图形的面积与对应的晶圆图形的实际面积之间的相差值小于等于第一预定值，将该校准后的OPC模型作为最终的OPC模型。
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