[发明专利]一种版图设计光刻工艺友善性检测方法有效
申请号: | 201310630278.2 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103645611A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 王伟斌;阚欢;魏芳;张旭昇 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陶金龙 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明一种版图设计光刻工艺友善性检测方法,通过事先对原始目标图形数据进行过滤,确定潜在工艺热点区域,并将该潜在工艺热点区域的图形数据转化为光刻目标图形数据,然后对该光刻目标图形数据进行简化光学邻近效应修正和图形模拟来进行工艺热点的初查,并以工艺热点初查标记位置及必要周边位置的图形数据为基础进行精确而完整的光学邻近效应修正和图形模拟来进行工艺热点的终查,以在精确找到工艺热点的前提下,减少整个过程中软件计算和使用的时间,降低生产成本,提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 版图 设计 光刻 工艺 友善 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种版图设计光刻工艺友善性检测方法,其特征在于,包括:提供原始目标图形数据,并对所述原始目标图形数据进行过滤,确定潜在工艺热点区域;将所述潜在工艺热点区域的图形数据转化为第一光刻目标图形,并对所述第一光刻目标图形进行第一光学邻近修正,获得第一光掩模目标图形;对所述第一光掩模目标图形进行第一工艺偏差图形模拟,确定所述第一光刻目标图形中的第一工艺热点区域,其中,所述第一工艺偏差图形模拟的区域范围与第一光刻目标图形的区域相同;对所述第一光刻目标图形进行第一工艺热点检测,生成潜在热点位置标记的第二光刻目标图形;对所述第二光刻目标图形进行第二光学邻近修正,获得第二光掩模目标图形,其中,所述第二光学邻近修正的精度高于所述第一光学邻近修正;对所述第二光掩模目标图形进行第二工艺偏差图形模拟,确定所述第二光刻目标图形中的第二工艺热点区域,其中,所述第二工艺偏差图形模拟的区域范围与第二光刻目标图形的区域相同;对第二光刻目标图形进行第二工艺热点检测,生成各项检测的热点位置标记,最终生成热点位置索引文件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310630278.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种字画
- 下一篇:偏心分离器自动清洗装置