[发明专利]超低功耗振荡器有效
| 申请号： | 201310626522.8 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103647508A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 王钊 | 申请（专利权）人： | 无锡中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/32 | 分类号： | H03B5/32 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 戴薇 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超低功耗振荡器，其包括电容、第一、第二、第三和第四场效应晶体管、反相器。电容的一端与第一电源端相连，另一端作为信号振荡端与第二场效应晶体管的衬体相连。第二晶体管的栅极、漏极和源极与第二电源端相连，第一晶体管的源极和衬体与第一电源端相连，漏极与信号振荡端相连，第四晶体管的源极和衬体与第一电源端相连，栅极与信号振荡端相连，漏极与反相器的输入端和第三场效应晶体管的衬体相连，第三晶体管的栅极、漏极和源极与第二电源端相连，反相器的输出端与第一晶体管的栅极相连。这样，其静态功耗主要由第二和第三晶体管的漏电流产生，每个漏电支路电流可以设计的很小，可以容易的设计出总功耗很低的振荡器。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 振荡器 | ||
【主权项】：
一种振荡器，其特征在于，其包括电容、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、反相器；所述电容的一端与第一电源端相连，另一端作为信号振荡端与第二场效应晶体管的衬体相连，第二场效应晶体管的栅极、漏极和源极与第二电源端相连，第一场效应晶体管的源极和衬体与第一电源端相连，漏极与信号振荡端相连，第四场效应晶体管的源极和衬体与第一电源端相连，栅极与信号振荡端相连，漏极与反相器的输入端和第三场效应晶体管的衬体相连，第三场效应晶体管的栅极、漏极和源极与第二电源端相连，反相器的输出端与第一场效应晶体管的栅极相连。
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