[发明专利]一种刻度氙气样品HPGe探测效率的装置及方法有效
| 申请号： | 201310617130.5 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103605149A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 田自宁;欧阳晓平;张显鹏;宋纪文;张建福;阮金陆 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究所 |
| 主分类号： | G01T1/36 | 分类号： | G01T1/36 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 71002*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明一种刻度氙气样品HPGe探测效率的装置及方法，包括放射源、多个不同高度的装有空气的聚乙烯盒、探测器；放射源包括133Ba面源和137Cs点源；面源铝底衬作为上吸收层；137Cs点源位于133Ba面源上面中心位置；133Ba面源位于装空气样品的聚乙烯盒上方，聚乙烯盒上下面作为下吸收层；探测器包括晶体、位于晶体外的铝外壳、位于铝外壳上且位于晶体上方的碳材料窗；聚乙烯盒放置在探测器窗上方。本发明使用的放射源高度等间隔增加，使用133Ba面源来替代133Xe样品进行效率刻度，使用137Cs点源峰效率来校正133Ba面源峰效率的符合相加校正因子，其解决了现有探测效率刻度方法对源的活度要求非常高、射线存在自吸收问题、存在较大的不确定度的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻度 氙气 样品 hpge 探测 效率 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种刻度氙气样品HPGe探测效率的装置，其特征在于：包括放射源、多个不同高度的装有空气的聚乙烯盒、探测器；所述放射源包括133Ba面源和137Cs点源；所述面源铝底衬作为上吸收层；所述137Cs点源位于133Ba面源上面中心位置；所述133Ba面源位于装空气样品的聚乙烯盒上方，聚乙烯盒上下面作为下吸收层；所述探测器包括晶体、位于晶体外的铝外壳、位于铝外壳上且位于晶体上方的碳材料窗；聚乙烯盒放置在探测器的碳材料窗上方。
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