[发明专利]开机防浪涌电路

摘要

本发明公开了开机防浪涌电路，场效应管MOS1的栅极和漏极之间连接有电阻R1且漏极与电源相连，栅极和源极之间连接有电容C1且源极与场效应管MOS2的源极相连；场效应管MOS2的栅极和源极之间连接有电容C2，栅极和漏极之间连接有电阻R2且漏极接地；场效应管MOS1的漏极与三极管的集电极相连，三极管的基极与发射极之间连接有电阻R4且发射极接地；场效应管MOS1的源极通过电阻R3连接在二极管D1和二极管D2的阳极上，二极管D1的阴极连接在电源上，二极管D2的阴极接地。其优点是：采用两级浪涌泄放电路，对浪涌进行完全泄放，可靠性高。

主权项

开机防浪涌电路，其特征在于：它包括场效应管MOS1和场效应管MOS2，所述的场效应管MOS1的栅极和漏极之间连接有电阻R1且漏极连接在电源上，所述的场效应管MOS1的栅极和源极之间连接有电容C1且源极连接在场效应管MOS2的源极上；所述的场效应管MOS2的栅极和源极之间连接有电容C2，所述的场效应管MOS2的栅极和漏极之间连接有电阻R2且漏极接地；所述的场效应管MOS1的漏极连接在三极管T1的集电极上，所述的三极管T1的基极与发射极之间连接有电阻R4且发射极接地；所述的场效应管MOS1的源极通过电阻R3同时连接在二极管D1的阳极和二极管D2的阳极上，所述的二极管D1的阴极连接在电源上，所述的二极管D2的阴极接地，所述的场效应管MOS1为P型场效应管，所述的场效应管MOS2为N型场效应管，所述的三极管T1为NPN型三极管。